1600℃真空气氛管式炉CVD系统（CVD-TF）

1600℃真空气氛管式炉CVD系统（CVD-TF）

产品特点
 提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境，应用在半导体、纳米技术、等纤维等领域 此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。 炉膛采用多晶莫来纤维真空吸附制成，温场均匀节能50%以上 自主研发的空气导流隔热技术保证箱内各部件的使用寿命及恒温效果 启动电炉，排温风机同时自动运行，试验结束后，排温风机将继续运行，直至炉体温度低于60℃，排温风机自行停止，有效保护了炉体表面 炉门开启自动断电、超温保护功能、漏电保护功能，以确保使用的安全性 电路采用连续加热输出方式，双回路供电，强弱电单独走线提高了系统的稳定性 加热模块采用直流信号调节输出功率，避免了感应电对控制信号的干扰 操作按键选用低压金属按钮，自带状态指示灯，操作安全直观 上下炉体采用航空插头连接方式，连接安全可靠方便 气路总成采用食品级316不锈钢制成，具有耐蚀性，耐大气腐蚀性和耐高温强度好，无磁性 采用数显流量显示仪，配合质量流量控制器，采集数据并控制流量。具有控制精度高，重复性好，相应速度快，稳定可靠等特点。（气体质量流量控制系统） 自动控制与手动控制切换功能，自动控制模式能通过设定值自动开启/关闭真空泵，使容器内保持在一定的真空压力范围内。手动控制模式使用用户通过真空泵开启/关闭按钮直接操作真空泵。以满足不同实验的需要。（中真空控制系统） 电磁阀缓启动技术，使电磁阀在真空泵开启10秒钟后打开，使炉管内系统压力保持准确，也保证了废气不会返回到炉管系统影响实验效果（中真空控制系统） 安全性 过升报警、菜单锁定、过升防止、复电延时。 采用单向阀技术，使气体流量在可控压力范围内控制，保证安全。 采用混气罐装置，使气体可以在充分混合后导入工作室内，确保不会泄露。

产品参数
 

温区		单温区				双温区
型号		CVD-TF16P50	CVD-TF16P60	CVD-TF16P80	CVD-TF16P100	CVD-TF16P60S	CVD-TF16P80S	CVD-TF16P100S
		CVD-TF16T50	CVD-TF16T60	CVD-TF16T80	CVD-TF16T100	CVD-TF16P60S	CVD-TF16T80S	CVD-TF16T100S
性能	使用温度范围	300~1600℃
	温度分辨率	1℃
	控温精度	±1℃
	升温速率	0~20℃/min
	加热区长度	260mm				600mm
	恒温区长度	120mm				300mm
	真空度	-0.1MPa
	空炉升温时间	＜15min
构成	外装	冷轧钢板，表面耐药品性涂装
	炉膛体	多晶莫来石纤维
	炉膛尺寸	440*390*330				780*390*330
	炉管	刚玉管
	炉管尺寸	φ50*1000	φ60*1000	φ80*1000	φ100*1000	φ60*1200	φ80*1200	φ100*1200
	加热器	硅钼棒
	加热功率	4KW		4KW		10KW	10KW
	断热层	双层强制风导流
控制器	控制器	P：进口程序控温数码显示； T：7寸彩色触摸屏程序控温
	控制方式	使用微型电脑PID控制/ S型双温区单独控温
	设定方式	P：轻触五按键动作、数显设定；T：手指触摸轻点设定
	显示方式	P：双行LED数字显示； T：彩色液晶屏显示
	定时	0~999.9小时
	运行功能	定值运行、程序运行
	程序模式	P：程序运行、4条曲线、共40步；T：50步可调用储存程序
	传感器	S型热电偶
	附属功能	P：校正功能；T：校正功能、实时曲线记录、U盘数据导出
	安全装置	过流漏电保护开关				过流保护开关
质量流量控制系统	气路数量	3路（可根据具体需要选配气路数量）
	流量范围	0-0500sccm（标准毫升/分，可选配）氮气标准
	精度	±1%F.S
	响应时间	≤4s
	工作温度（流量计）	5-45℃
	工作压力	进气压力0.05-0.3MPa（表压力）
	系统连接方式	采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪
中真空	系统真空范围	10-100Pa
控制系统	真空泵	双级机械泵理论极限真空度3x10-1Pa，抽气速率4L/s，出气口配有油污过滤器，额定电压200V，功率0.55Kw
	CVD系统配置	1600度真空管式炉（可选配单温区、双温区）多路质量流量控制系统真空系统